Novi svetski rekord u rezoluciji slike mikročipa postavljen pomoću ptihografije

Novi svetski rekord u rezoluciji slike mikročipa postavljen pomoću ptihografije

Istraživači sa Instituta Paul Scherrer (PSI), u saradnji sa EPFL Lozanom, ETH Cirih i Univerzitetom Južne Kalifornije, postigli su novi svetski rekord u rezoluciji rendgenskih slika mikročipova, dostigavši neverovatnih 4 nanometra. Ova revolucionarna tehnika, objavljena u najnovijem broju časopisa Priroda, omogućava detaljnije prikazivanje unutrašnjih struktura mikročipova nego ikada ranije.

Od 2010. godine, tim u Laboratoriji za makromolekule i bioimadžing pri PSI radi na razvoju metoda mikroskopije koje omogućavaju trodimenzionalne slike u nanometarskom opsegu. Korišćenjem tehnike poznate kao ptihografija, istraživači su uspeli da postignu slike visoke rezolucije tako što su koristili rendgenske zrake iz Sviss Light Source SLS na PSI, umesto tradicionalnih sočiva koja ne mogu da dostignu takvu preciznost.

Ptihografija omogućava kreiranje slike kombinovanjem mnogih pojedinačnih slika koje se koriste za rekonstrukciju visoke rezolucije. Ova metoda rešava problem nedostatka fokusiranja rendgenskih sočiva i omogućava snimanje uzoraka na nanometarskoj skali tako što se uzorak pomera u vrlo malim koracima.

Timo optimizacija vremena ekspozicije i napredni algoritmi, razvijeni u saradnji sa fizičarima kao što su Mirko Holer i Manuel Guizar-Sicairos, omogućili su poboljšanje u tačnosti slike. Smanjenjem vremena ekspozicije i upotrebom bržih detektora, tim je uspeo da prevaziđe ograničenja prethodnih tehnika, čime je omogućena detaljna rekonstrukcija mikročipova bez oštećenja.

Ova napredna tehnika ima potencijalne primene u različitim oblastima, uključujući informacionu tehnologiju, nauku o materijalima i biologiju. Pored toga, nova metoda može unaprediti razumevanje i karakterizaciju složenih struktura u mikročipovima i drugim materijalima.

Ovaj tehnološki napredak predstavlja značajan korak napred u oblasti mikroskopije i nudi novu perspektivu za proučavanje i razvoj visokotehnoloških uređaja i materijala.